"Роснано" получило 14% акций французского разработчика магниторезистивной памяти
17 июня 2011 года
ОАО "Роснано" стало владельцем 14,32% акций французской компании Crocus Technology, ведущего разработчика магниторезистивной памяти, говорится в материалах "Роснано".
Активы получены "Роснано" 15 июня, условия сделки не сообщаются.
В мае "Роснано" и Crocus Technology объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения на общую сумму 300 миллионов долларов.
В рамках нового соглашения "Роснано" и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России первый в мире завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching - TAS), разработанной Crocus.
"Роснано" в конце мая стало владельцем 49% акций СNE.
Магниторезистивная оперативная память (MRAM - magnetoresistive random-access memory) считается одной из перспективных технологий будущего. Она сочетает ряд достоинств как оперативной компьютерной DRAM-памяти (высокая производительность, практически бесконечное число циклов перезаписи, невысокое энергопотребление), так и Flash-памяти (энергонезависимость). Благодаря тому, что в MRAM-памяти для хранения данных не используются, как во Flash-памяти, разнонаправленные электрические заряды, соответствующие двоичным "0" и "1", она устойчива к воздействию радиации и способна работать в широком интервале температур. По этой причине магниторезистивная память широко применяется в космонавтике и в военных целях.
Ключевыми "потребителями" такой памяти станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия и защищенной памяти.
Потенциальный объем мирового рынка для продукции проекта составляет более 40 миллиардов долларов в год.
"Роснано" планирует инвестировать в проект до 3,8 миллиарда рублей, или около 140 миллионов долларов. На первом этапе компания и соинвесторы - венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures - должны вложить 55 миллионов долларов в уставный капитал Crocus.
Еще около 125 миллионов долларов участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется дополнительно инвестировать 120 миллионов долларов, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе, на совершенствование технологического процесса до норм 45 нанометров.
В ближайшие два года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин памяти в неделю. На втором этапе инвестиций его мощность будет увеличена до 1 тысячи пластин в неделю. В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах - компания Crocus.
Кроме этого, также запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и систем на чипе (system-on-chip - SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более 5 миллионов долларов в российские исследовательские организации.
Французская компания Crocus Technology работает по "бесфабричной" модели, то есть специализируется на проектировании чипов, размещая их производство на чужих фабриках. Она заключила соглашение с израильским производителем специализированных чипов памяти TowerJazz о выпуске MRAM-памяти по 130-нанометровым топологическим нормам (для флэш-памяти рекордной технологией сегодня является 20 нанометров). Ожидается, что первые коммерческие MRAM-чипы от Crocus поступят на рынок во второй половине 2011 года.
ОАО "Роснано" создано в марте 2011 года путем реорганизации российской государственной корпорации нанотехнологий. В собственности государства находятся 100% акций "Роснано".